رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFB4229PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFB4229PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
993 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804116
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFB4229PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
46A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
46mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4560 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
330W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRFB4229
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001565910
2156-IRFB4229PBF
IFEINFIRFB4229PBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
IPA60R450E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP
IPZ65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
