رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFH5015TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFH5015TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 10A (Ta), 56A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
10807 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805346
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFH5015TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta), 56A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
31mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2300 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
IRFH5015
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRFH5015TRPBFTR
IRFH5015TRPBFCT
IRFH5015TRPBFDKR
SP001575670
2156-IRFH5015TRPBFTR
IRFH5015TRPBF-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFB7430PBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220
IRF5210STRRPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
IPP60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3