رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFH7182TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFH7182TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 23A (Ta), 157A (Tc) 4W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
12805138
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFH7182TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
FASTIRFET™, HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta), 157A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.6V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3120 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
4W (Ta), 195W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SP001556394
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AON6290
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
7905
DiGi رقم الجزء
AON6290-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BSC040N10NS5ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
13720
DiGi رقم الجزء
BSC040N10NS5ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFU5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
IPSA70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
IPI100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
