رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFI4229PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFI4229PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 19A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
411 قطع جديدة أصلية في المخزون
13064110
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFI4229PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®
التغليف
Tube
حالة الجزء
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
46mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4480 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
46W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRFI4229
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001575824
2156-IRFI4229PBF
INFINFIRFI4229PBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB4229PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
993
DiGi رقم الجزء
IRFB4229PBF-DG
سعر الوحدة
1.48
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDPF2710T
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDPF2710T-DG
سعر الوحدة
2.34
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPZ60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
IRF1010NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
IRF2805STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
