IRFS4410PBF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFS4410PBF

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFS4410PBF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK

المخزون:

12804196
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFS4410PBF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
88A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5150 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001573484
2832-IRFS4410PBF

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
HUF75545S3ST
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
6270
DiGi رقم الجزء
HUF75545S3ST-DG
سعر الوحدة
1.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN9R5-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5520
DiGi رقم الجزء
PSMN9R5-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BUK969R3-100E,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BUK969R3-100E,118-DG
سعر الوحدة
1.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPB083N10N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4514
DiGi رقم الجزء
IPB083N10N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.65
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB80NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
775
DiGi رقم الجزء
STB80NF10T4-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IRF200P222

MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC

infineon-technologies

IRFR9N20DTR

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

infineon-technologies

IPW60R299CPFKSA1

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

infineon-technologies

IRF7459TRPBF

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO