الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFS4410PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFS4410PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12804196
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFS4410PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
88A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5150 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IRFB4410, IRFS(L)4410
مخططات البيانات
IRFS4410PBF
ورقة بيانات HTML
IRFS4410PBF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001573484
2832-IRFS4410PBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
HUF75545S3ST
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
6270
DiGi رقم الجزء
HUF75545S3ST-DG
سعر الوحدة
1.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN9R5-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5520
DiGi رقم الجزء
PSMN9R5-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BUK969R3-100E,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BUK969R3-100E,118-DG
سعر الوحدة
1.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPB083N10N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4514
DiGi رقم الجزء
IPB083N10N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.65
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB80NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
775
DiGi رقم الجزء
STB80NF10T4-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF200P222
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
IRFR9N20DTR
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
IPW60R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
IRF7459TRPBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO