رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLR2705TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLR2705TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 28A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
المخزون:
14695 قطع جديدة أصلية في المخزون
12806290
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLR2705TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
28A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
880 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
68W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IRLR2705
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
*IRLR2705TRPBF
IRLR2705PBFCT
IRLR2705PBFTR
IRLR2705TRPBFTR-DG
IRLR2705PBFDKR
IRLR2705TRPBF-DG
SP001578864
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF6714MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
IRF2204SPBF
MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
SPW07N60CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO247-3
