رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLS4030TRLPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLS4030TRLPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
1350 قطع جديدة أصلية في المخزون
12806748
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLS4030TRLPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
180A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.3mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
11360 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
370W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRLS4030
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SP001552944
ROCINFIRLS4030TRLPBF
IRLS4030TRLPBFTR
IRLS4030TRLPBFDKR
IRLS4030TRLPBFCT
2156-IRLS4030TRLPBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPB02N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
SPP20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
SPD50N03S207GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
