رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLU8729-701PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLU8729-701PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 58A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount I-PAK (LF701)
المخزون:
12806179
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLU8729-701PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
58A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.35V @ 25µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
55W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
I-PAK (LF701)
العبوة / العلبة
TO-252-4, DPAK (3 Leads + Tab)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
IRLU8729PBF
IRLU8729PBF-DG
SP001552984
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQR70090ELR_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1840
DiGi رقم الجزء
SQR70090ELR_GE3-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP65R190C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
IRLTS2242TRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
IRF7220
MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
