رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPD30P06PGBTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPD30P06PGBTMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
16514 قطع جديدة أصلية في المخزون
12807354
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPD30P06PGBTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1.7mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1535 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SPD30P06
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SPD30P06PGBTMA1CT
2832-SPD30P06PGBTMA1
SPD30P06P G
SPD30P06PGBTMA1DKR
SPD30P06P GCT
SPD30P06P G-DG
SPD30P06P GCT-DG
SPD30P06P GTR-DG
SPD30P06PG
SPD30P06P GDKR
SPD30P06PGBTMA1TR
SP000441776
SPD30P06P GDKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPB07N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263-3
IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
SPI08N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3
