رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPI11N60C3XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPI11N60C3XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
المخزون:
12808169
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPI11N60C3XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3-1
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
SPI11N
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SPI11N60C3X-DG
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3
SPI11N60C3XK
SPI11N60C3IN-DG
SPI11N60C3X
SP000680986
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STI24N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1180
DiGi رقم الجزء
STI24N60M2-DG
سعر الوحدة
1.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
VN10KN3-G
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
SN7002NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
SPI16N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO262-3
