رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPI15N65C3XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPI15N65C3XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
المخزون:
12807433
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPI15N65C3XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 675µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3-1
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
SPI15N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SPI15N65C3-DG
SPI15N65C3
SP000681002
2156-SPI15N65C3XKSA1-IT
INFINFSPI15N65C3XKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STI20N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
STI20N65M5-DG
سعر الوحدة
1.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPI60R125CPXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
490
DiGi رقم الجزء
IPI60R125CPXKSA1-DG
سعر الوحدة
3.00
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLML2030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
SPP80N03S2-03
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
IRLR024NTRL
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
