SPP11N65C3XKSA1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SPP11N65C3XKSA1

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

SPP11N65C3XKSA1-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12807794
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SPP11N65C3XKSA1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SPP11N

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
SPP11N65C3XKSA1
ورقة بيانات HTML
SPP11N65C3XKSA1-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SPP11N65C3XK
SPP11N65C3IN
SP000681046
SPP11N65C3BKSA1
SPP11N65C3
SPP11N65C3-DG
SPP11N65C3X
SPP11N65C3IN-DG

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IXTP12N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTP12N65X2-DG
سعر الوحدة
2.28
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP18N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
920
DiGi رقم الجزء
STP18N60DM2-DG
سعر الوحدة
1.04
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SIHP14N60E-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SIHP14N60E-GE3-DG
سعر الوحدة
0.88
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP15N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
988
DiGi رقم الجزء
STP15N65M5-DG
سعر الوحدة
1.09
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF830APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5605
DiGi رقم الجزء
IRF830APBF-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IRL3103L

MOSFET N-CH 30V 64A TO262

infineon-technologies

IRLMS6802TR

MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP

infineon-technologies

SIPC10N65C3X1SA2

MOSFET

infineon-technologies

SPD30N03S2L10GBTMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3