رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFHS8242TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
International Rectifier
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFHS8242TRPBF-DG
وصف:
IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
المخزون:
177700 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946436
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFHS8242TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.9A (Ta), 21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.35V @ 25µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
653 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-PQFN (2x2)
العبوة / العلبة
6-PowerVDFN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,689
اسماء اخرى
ROCIRFIRFHS8242TRPBF
2156-IRFHS8242TRPBF
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS7672
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQPF22N30
MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
IRF6722MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
