رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFC96N15P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFC96N15P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 42A ISOPLUS220
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 42A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
المخزون:
12820231
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFC96N15P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
PolarHT™ HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
42A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
26mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
120W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS220™
العبوة / العلبة
ISOPLUS220™
رقم المنتج الأساسي
IXFC96N15
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP42N15T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTP42N15T-DG
سعر الوحدة
2.22
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFN170N65X2
MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
IXFH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
IXTN8N150L
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
