IXFE48N50QD3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXFE48N50QD3

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXFE48N50QD3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 41A (Tc) 400W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

المخزون:

12912490
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXFE48N50QD3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
41A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
IXFE48

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
10

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STE53NC50
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STE53NC50-DG
سعر الوحدة
30.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STE48NM50
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
82
DiGi رقم الجزء
STE48NM50-DG
سعر الوحدة
17.56
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SI7884BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI3410DV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

SI2318DS-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

vishay-siliconix

IRLZ34PBF

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB