رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STE53NC50
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STE53NC50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 53A (Tc) 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
المخزون:
12879428
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STE53NC50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerMESH™ II
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
53A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
434 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
11200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
460W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
ISOTOP®
العبوة / العلبة
ISOTOP
رقم المنتج الأساسي
STE53
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10
اسماء اخرى
497-2776-5
497-2776-5-NDR
1026-STE53NC50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFN100N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
85
DiGi رقم الجزء
IXFN100N50P-DG
سعر الوحدة
34.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTN60N50L2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
2
DiGi رقم الجزء
IXTN60N50L2-DG
سعر الوحدة
36.61
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STL28N60DM2
MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8
STH210N75F6-2
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
STP18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
