رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFK170N25X3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFK170N25X3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 170A TO264
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 170A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA
المخزون:
9 قطع جديدة أصلية في المخزون
12820230
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFK170N25X3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X3
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
170A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.4mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
960W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264AA
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFK170
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFC96N15P
MOSFET N-CH 150V 42A ISOPLUS220
IXFN170N65X2
MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
IXFH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD