رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFK26N60Q
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFK26N60Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 26A TO264AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
المخزون:
12819204
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFK26N60Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
26A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264AA (IXFK)
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFK26
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFK44N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFK44N80P-DG
سعر الوحدة
12.38
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
IXFV22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
IXFE80N50
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
