رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFR27N80Q
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFR27N80Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
المخزون:
12905700
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFR27N80Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™, Q Class
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS247™
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFR27
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVP2106ASTZ
MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
FQPF9N50YDTU
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3
BSS192,115
MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
