IXFT24N80P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXFT24N80P

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXFT24N80P-DG

وصف:

MOSFET N-CH 800V 24A TO268
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 24A (Tc) 650W (Tc) Surface Mount TO-268AA

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12819495
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXFT24N80P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
650W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-268AA
العبوة / العلبة
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
رقم المنتج الأساسي
IXFT24

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
IXF(H,K,T)24N80P
مخططات البيانات
IXFT24N80P
ورقة بيانات HTML
IXFT24N80P-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXTK80N25

MOSFET N-CH 250V 80A TO264

littelfuse

IXTA130N15X4

MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA

littelfuse

IXFH24N50

MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD

littelfuse

IXTP08N100P

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB