رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFX44N80P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFX44N80P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 44A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
المخزون:
12821695
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFX44N80P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
44A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
198 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1040W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS247™-3
العبوة / العلبة
TO-247-3 Variant
رقم المنتج الأساسي
IXFX44
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SCT3120ALGC11
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
6940
DiGi رقم الجزء
SCT3120ALGC11-DG
سعر الوحدة
4.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW24N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
562
DiGi رقم الجزء
STW24N60M2-DG
سعر الوحدة
1.39
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6024KNZ1C9
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
3
DiGi رقم الجزء
R6024KNZ1C9-DG
سعر الوحدة
3.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFT120N15P
MOSFET N-CH 150V 120A TO268
IXTA44N30T
MOSFET N-CH 300V 44A TO263
IXFM15N60
MOSFET N-CH 600V 15A TO204AE
