رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTA50N25T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTA50N25T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 50A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 50A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-263AA
المخزون:
12820611
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTA50N25T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Trench
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB600N25N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4968
DiGi رقم الجزء
IPB600N25N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
1.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RCJ510N25TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5032
DiGi رقم الجزء
RCJ510N25TL-DG
سعر الوحدة
2.20
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS4229TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2694
DiGi رقم الجزء
IRFS4229TRLPBF-DG
سعر الوحدة
2.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD
IXTR36P15P
MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
IXTH96P085T
MOSFET P-CH 85V 96A TO247
