رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTC13N50
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTC13N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 140W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
المخزون:
12821657
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTC13N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS220™
العبوة / العلبة
ISOPLUS220™
رقم المنتج الأساسي
IXTC13
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP12NM50
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
756
DiGi رقم الجزء
STP12NM50-DG
سعر الوحدة
1.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF14NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
942
DiGi رقم الجزء
STF14NM50N-DG
سعر الوحدة
1.59
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTY2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
IXFB100N50Q3
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXFT80N20Q
MOSFET N-CH 200V 80A TO268