IXTH3N100P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTH3N100P

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTH3N100P-DG

وصف:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12821649
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTH3N100P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXTH3

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
IXTH3N100P
ورقة بيانات HTML
IXTH3N100P-DG
أوراق البيانات
IXT(A,H,P)3N100P Building, Home Automation Appl Guide

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXFN34N100

MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

littelfuse

IXTH60N10

MOSFET N-CH 100V 60A TO247

littelfuse

IXTT140N10P

MOSFET N-CH 100V 140A TO268

littelfuse

IXTC13N50

MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220