رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTP20N65XM
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTP20N65XM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12819021
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTP20N65XM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Ultra X
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
210mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1390 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
63W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP20N65X2M
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTP20N65X2M-DG
سعر الوحدة
2.92
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPP60R280C6XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
83
DiGi رقم الجزء
IPP60R280C6XKSA1-DG
سعر الوحدة
2.10
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPP60R280CFD7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
240
DiGi رقم الجزء
IPP60R280CFD7XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTV30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
IXFV20N80PS
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS-220SMD
IXFR20N100P
MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
