IXTQ18N60P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTQ18N60P

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTQ18N60P-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P

المخزون:

12821417
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTQ18N60P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
420mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
IXTQ18

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
FCH041N60F
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
365
DiGi رقم الجزء
FCH041N60F-DG
سعر الوحدة
7.37
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXTA1R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

littelfuse

IXTP8N65X2

MOSFET N-CH 650V 8A TO220

littelfuse

IXFH13N90

MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD

littelfuse

IXTC220N055T

MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220