رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTU02N50D
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTU02N50D-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
المخزون:
453 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819252
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTU02N50D المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Depletion
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 25µA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
120 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251AA
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IXTU02
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFK27N80
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
IXFR26N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247
IXFK24N80P
MOSFET N-CH 800V 24A TO264AA