رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
APT14M100B
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
APT14M100B-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 14A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
المخزون:
13253263
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
APT14M100B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
POWER MOS 8™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
900mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3965 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 [B]
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
APT14M100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
APT14M100BMP
APT14M100BMP-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFH16N120P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
998
DiGi رقم الجزء
IXFH16N120P-DG
سعر الوحدة
13.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFR15N100Q3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
18
DiGi رقم الجزء
IXFR15N100Q3-DG
سعر الوحدة
12.33
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFH12N90P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
1289
DiGi رقم الجزء
IXFH12N90P-DG
سعر الوحدة
5.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
APT80F60J
MOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
APTM20DAM04G
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
APTM100UM45FAG
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
