VN2460N3-G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

VN2460N3-G

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

VN2460N3-G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 160mA (Tj) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3

المخزون:

234 قطع جديدة أصلية في المخزون
12857829
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

VN2460N3-G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
160mA (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 2mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
150 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
رقم المنتج الأساسي
VN2460

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTMFS5C410NLTWFT1G

MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN

renesas-electronics-america

UPA2822T1L-E1-AT

MOSFET N-CH 30V 34A 8HWSON

renesas-electronics-america

HAT2279H-EL-E

MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

onsemi

NVMFS6B85NLWFT1G

MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN