UPA2822T1L-E1-AT
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

UPA2822T1L-E1-AT

Product Overview

المُصنّع:

Renesas Electronics Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

UPA2822T1L-E1-AT-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 34A 8HWSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 34A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12857841
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

UPA2822T1L-E1-AT المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Renesas Electronics Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
34A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.6mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4660 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HWSON (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
UPA2822

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
uPA2822T1L

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
TPN2R203NC,L1Q
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
5468
DiGi رقم الجزء
TPN2R203NC,L1Q-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17575Q3T
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
19759
DiGi رقم الجزء
CSD17575Q3T-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17575Q3
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
67926
DiGi رقم الجزء
CSD17575Q3-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
renesas-electronics-america

HAT2279H-EL-E

MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

onsemi

NVMFS6B85NLWFT1G

MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN

onsemi

NTMYS4D6N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4

onsemi

NDD04N50ZT4G

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK