رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK768R3-60E,118
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK768R3-60E,118-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
626 قطع جديدة أصلية في المخزون
12828232
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK768R3-60E,118 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43.1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2920 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
137W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
BUK768
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
934066644118
1727-7258-6
5202-BUK768R3-60E,118TR
BUK768R360E118
568-9887-6-DG
568-9887-2
568-9887-1
568-9887-2-DG
568-9887-1-DG
1727-7258-1
568-9887-6
1727-7258-2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF1018ESTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
12356
DiGi رقم الجزء
IRF1018ESTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PH7630DLX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
PMPB95ENEA/FX
MOSFET N-CH 80V 4.1A 6DFN
BUK7J1R0-40HX
BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
