الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK962R6-40E,118
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK962R6-40E,118-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12830859
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK962R6-40E,118 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80.6 nC @ 32 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10285 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
263W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
BUK962
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BUK962R6-40E
مخططات البيانات
BUK962R6-40E,118
ورقة بيانات HTML
BUK962R6-40E,118-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
568-10250-6-DG
934066442118
1727-1095-1
1727-1095-2
568-10250-2-DG
5202-BUK962R6-40E,118TR
1727-1095-6
568-10250-6
568-10250-1-DG
568-10250-2
568-10250-1
BUK962R6-40E,118-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB120N04S401ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1863
DiGi رقم الجزء
IPB120N04S401ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.52
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NP100N04PUK-E1-AY
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
1600
DiGi رقم الجزء
NP100N04PUK-E1-AY-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB120N04S402ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1734
DiGi رقم الجزء
IPB120N04S402ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AUIRF2804STRL
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
600
DiGi رقم الجزء
AUIRF2804STRL-DG
سعر الوحدة
2.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB90N04S402ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
995
DiGi رقم الجزء
IPB90N04S402ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.28
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK9Y3R0-40E,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
PSMN1R6-40YLC:115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
BUK98150-55A/CUF
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
BUK9223-60EJ
MOSFET N-CH 60V DPAK