رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK9Y11-30B,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK9Y11-30B,115-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK56
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 59A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
12829479
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK9Y11-30B,115 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
59A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.5 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1614 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SC-100, SOT-669
رقم المنتج الأساسي
BUK9Y11
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
BUK9Y11-30B,115-DG
568-6233-6-DG
568-6233-1-DG
568-6233-2-DG
BUK9Y1130B115
568-6233-6
1727-4939-2
934060171115
1727-4939-1
568-6233-1
568-6233-2
1727-4939-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQJ840EP-T1_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SQJ840EP-T1_GE3-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK7Y25-40B,115
MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK56
BUK7E1R8-40E,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
BUK762R7-30B,118
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
