رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PEMB16,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PEMB16,115-DG
وصف:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
المخزون:
12831815
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PEMB16,115 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-666
رقم المنتج الأساسي
PEMB16
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
NEXNXPPEMB16,115
934058912115
2156-PEMB16,115-NEX
PEMB16 T/R
PEMB16 T/R-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN2903FE(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3450
DiGi رقم الجزء
RN2903FE(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN2908FE(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
7
DiGi رقم الجزء
RN2908FE(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NSBA124XDXV6T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NSBA124XDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PIMD2,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
PUMB11,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PBLS4002Y,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP