رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN3R3-80ES,127
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN3R3-80ES,127-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
المخزون:
12830886
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN3R3-80ES,127 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9961 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
338W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I2PAK
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
PSMN3R380ES127
568-8598-5
934066133127
1727-6502
568-8598-5-DG
2166-PSMN3R3-80ES,127-1727
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN3R3-80ES,127
المُصنِّع
NXP USA Inc.
الكمية المتاحة
1415
DiGi رقم الجزء
PSMN3R3-80ES,127-DG
سعر الوحدة
1.35
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
PSMN3R3-80PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
10525
DiGi رقم الجزء
PSMN3R3-80PS,127-DG
سعر الوحدة
2.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK6Y25-40PX
MOSFET P-CH 40V 38A LFPAK56
BUK662R5-30C,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
BUK964R4-40B,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
