الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PUMD12/ZLX
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PUMD12/ZLX-DG
وصف:
TRANS PREBIAS
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12829736
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PUMD12/ZLX المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
التردد - الانتقال
230MHz, 180MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
6-TSSOP
رقم المنتج الأساسي
PUMD12
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PEMD12, PUMD12
مخططات البيانات
PUMD12/ZLX
ورقة بيانات HTML
PUMD12/ZLX-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
HTSUS
0000.00.0000
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN4984,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
2980
DiGi رقم الجزء
RN4984,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
UMH2N-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
UMH2N-TP-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MUN5213DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
41205
DiGi رقم الجزء
MUN5213DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SMUN5213DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
29975
DiGi رقم الجزء
SMUN5213DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN1904,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
RN1904,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PEMH30,315
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
PEMD20,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
PUMB9/ZLH
TRANS PREBIAS
PEMD2,315
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666