رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PDTA113ZM315
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PDTA113ZM315-DG
وصف:
TRANS PREBIAS
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount DFN1006-3
المخزون:
12947925
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PDTA113ZM315 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
PDTA113Z
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
1 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
35 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
الطاقة - الحد الأقصى
250 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
حزمة جهاز المورد
DFN1006-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
11,871
اسماء اخرى
2156-PDTA113ZM315
NEXNXPPDTA113ZM315
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PDTB123EQA147
TRANS PREBIAS
PDTC143TMB,315
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
PDTA144EU,115
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
