رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PDTA123YMB315
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PDTA123YMB315-DG
وصف:
TRANS PREBIAS
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
المخزون:
12947593
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PDTA123YMB315 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
35 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
التردد - الانتقال
180 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
250 mW
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
حزمة جهاز المورد
DFN1006B-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
11,225
اسماء اخرى
2156-PDTA123YMB315
NEXNXPPDTA123YMB315
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PDTC144TU115
TRANS PREBIAS
PDTA123TMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
PDTC123ET,215
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23