رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN3R4-30BL,118
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN3R4-30BL,118-DG
وصف:
NOW NEXPERIA PSMN3R4-30BL - 100A
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
900 قطع جديدة أصلية في المخزون
12947688
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN3R4-30BL,118 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.15V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3907 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
114W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
494
اسماء اخرى
2156-PSMN3R4-30BL,118
NEXNXPPSMN3R4-30BL,118
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUF75852G3
MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
TSM035NB04CZ
MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220
IRF6620TRPBF
IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
