رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N7000TA
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N7000TA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
المخزون:
12835714
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N7000TA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Box (TB)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
رقم المنتج الأساسي
2N7000
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
2N7000TATB
2N7000TATR
2N7000TACT
2N7000TA_T
2N7000TA-DG
2N7000TATR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
VN10LP
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
5433
DiGi رقم الجزء
VN10LP-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
VN10LPSTZ
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
VN10LPSTZ-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2N7000
المُصنِّع
Diotec Semiconductor
الكمية المتاحة
146004
DiGi رقم الجزء
2N7000-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N7002T
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F
2N7000RLRA
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
BFL4037-1E
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F-3FS
