رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCPF1300N80ZYD
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCPF1300N80ZYD-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
المخزون:
12849983
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCPF1300N80ZYD المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 400µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
880 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
24W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3 (Y-Forming)
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
رقم المنتج الأساسي
FCPF1300
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2832-FCPF1300N80ZYD
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCPF1300N80Z
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FCPF1300N80Z-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFP10N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
242
DiGi رقم الجزء
IXFP10N80P-DG
سعر الوحدة
2.72
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO4452
MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC
FDP027N08B-F102
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
IPC60N04S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23