رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB86366-F085
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB86366-F085-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
782 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849520
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
C4NK
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB86366-F085 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6280 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
176W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB86366
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB86366-F085CT
FDB86366-F085DKR
FDB86366_F085
2156-FDB86366-F085-OS
ONSONSFDB86366-F085
FDB86366-F085TR
FDB86366_F085CT-DG
FDB86366_F085TR-DG
FDB86366_F085-DG
FDB86366_F085TR
FDB86366_F085DKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS6H801NLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVMFS6H801NLT1G-DG
سعر الوحدة
1.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD8876
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
AOT12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220