رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDC6301N

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDC6301N-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 25V 220mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

المخزون:

15799 قطع جديدة أصلية في المخزون

12850990

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDC6301N المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

25V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

220mA

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

9.5pF @ 10V

الطاقة - الحد الأقصى

700mW

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

حزمة جهاز المورد

SuperSOT™-6

رقم المنتج الأساسي

FDC6301

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDC6301NDKR

FDC6301NCT

ONSFSCFDC6301N

2156-FDC6301N-OS

FDC6301NTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDMS3669S

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56

EFC2J017NUZTDG

MOSFET 2N-CH 6WLCSP

alpha-and-omega-semiconductor

AO4818BL

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AONX38168

MOSFET 2N-CH 25V 25A/62A 8DFN