رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDC6320C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDC6320C-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 25V 220mA, 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
المخزون:
12840204
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDC6320C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
220mA, 120mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9.5pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
700mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
رقم المنتج الأساسي
FDC6320
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDC6320CTR
FDC6320CCT
2832-FDC6320CTR
FDC6320C-DG
FDC6320CDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTHD3102CT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
5
DiGi رقم الجزء
NTHD3102CT1G-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDC6321C
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
32350
DiGi رقم الجزء
FDC6321C-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTLGD3502NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
MCH6604-TL-E
MOSFET 2N-CH 50V 0.25A 6MCPH
NTHD3100CT1
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
