الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD3670
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD3670-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 34A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
2496 قطع جديدة أصلية في المخزون
12848304
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD3670 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
34A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
32mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2490 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD367
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDD3670
مخططات البيانات
FDD3670
ورقة بيانات HTML
FDD3670-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD3670-DG
FDD3670CT
FDD3670TR
FDD3670DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD25NF10LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4741
DiGi رقم الجزء
STD25NF10LT4-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD30N10S3L34ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
35870
DiGi رقم الجزء
IPD30N10S3L34ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD25NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1915
DiGi رقم الجزء
STD25NF10T4-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK7240-100A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
19864
DiGi رقم الجزء
BUK7240-100A,118-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD25N10F7
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
5088
DiGi رقم الجزء
STD25N10F7-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQA11N90C
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
RFP4N100
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN