الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD4N60NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD4N60NZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 3.4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12835966
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD4N60NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
UniFET-II™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
510 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
114W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD4N60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDD4N60NZ
مخططات البيانات
FDD4N60NZ
ورقة بيانات HTML
FDD4N60NZ-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD4N60NZ-DG
FDD4N60NZCT
FDD4N60NZTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD4NK60ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2241
DiGi رقم الجزء
STD4NK60ZT4-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD80R2K4P7ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2421
DiGi رقم الجزء
IPD80R2K4P7ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD3N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3586
DiGi رقم الجزء
STD3N62K3-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQD5N60CTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQD5N60CTM-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
TSM4NB60CP ROG
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
9
DiGi رقم الجزء
TSM4NB60CP ROG-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
6HP04CH-TL-W
MOSFET P-CH 60V 370MA 3CPH
FQD8P10TM
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FDP3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
IRL530A
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3