رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDG6332C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDG6332C-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 700mA, 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
المخزون:
38 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838796
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDG6332C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
700mA, 600mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
113pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88 (SC-70-6)
رقم المنتج الأساسي
FDG6332
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2832-FDG6332CTR
FDG6332CDKR
FDG6332C-DG
FDG6332CCT
FDG6332CTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMGD290UCEAX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
21818
DiGi رقم الجزء
PMGD290UCEAX-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTJD4105CT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
22900
DiGi رقم الجزء
NTJD4105CT1G-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDW2502P
MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8TSSOP
FDG6302P
MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC88
FDMA1029PZ
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
