NTJD4105CT1G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTJD4105CT1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTJD4105CT1G-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

المخزون:

22900 قطع جديدة أصلية في المخزون
12840950
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NTJD4105CT1G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V, 8V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
630mA, 775mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
46pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
270mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
رقم المنتج الأساسي
NTJD4105

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NTJD4105CT1GOS
NTJD4105CT1GOSTR
NTJD4105CT1GOSDKR
ONSONSNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1GOSCT
NTJD4105CT1GOS-DG
2156-NTJD4105CT1G-OS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

BSO615CT

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO

powerex

QJD1210SB1

SIC 1200V 10A MOD

onsemi

NTHD2102PT1G

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

powerex

QJD1210SA1

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE