رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTJD4105CT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTJD4105CT1G-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
22900 قطع جديدة أصلية في المخزون
12840950
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
yjCN
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTJD4105CT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V, 8V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
630mA, 775mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
46pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
270mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
رقم المنتج الأساسي
NTJD4105
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NTJD4105CT1GOS
NTJD4105CT1GOSTR
NTJD4105CT1GOSDKR
ONSONSNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1GOSCT
NTJD4105CT1GOS-DG
2156-NTJD4105CT1G-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSO615CT
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
QJD1210SB1
SIC 1200V 10A MOD
NTHD2102PT1G
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET