رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC86260ET150
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC86260ET150-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 5.4A (Ta), 25A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33
المخزون:
2750 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851056
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC86260ET150 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.4A (Ta), 25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
34mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1330 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 65W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Power33
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC86260
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMC86260ET150CT
FDMC86260ET150TR
FDMC86260ET150DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD5810-F085
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
HUF76419S3ST
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
HUF75229P3
MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
