FDMS86500L
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS86500L

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS86500L-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 25A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

12741 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838834
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDMS86500L المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12530 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS86500

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS86500L-DG
FDMS86500LFSDKR
FDMS86500LFSTR
FDMS86500LFSCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDC637AN

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

infineon-technologies

BSS214NW L6327

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3

onsemi

FQPF46N15

MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F

onsemi

HUFA75307D3S

MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA